応用情報技術者試験 - SE娘の剣 -

応用情報処理技術者試験の対策サイトです。 応用情報処理技術者試験の午前問題を中心とした基礎用語の解説を中心に掲載します。書き始めたばかりなので、内容はまだまだ不十分です。少しずつ追記していきます

MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリ

復習ではあるが、メモリにはDRAM(主記憶)、SRAMキャッシュメモリUSBメモリに利用するフラッシュメモリがある。
フラッシュメモリは不揮発性(つまり、電源を切ってもデータが消えない)
従来のハードディスクに代わって、フラッシュメモリSSDに置き換わりつつある。
NAND型フラッシュメモリの種類として、
①SLC
MLC
がある。さらに、③TLC(Triple Level Cell)やさらに並列作業を進めたものもある
今では、ストレージも磁気ディスクではなくフレッシュメモリでできている。回転しないから壊れにくいという利点がある(と思う)。

■H29秋NW午前Ⅱ
問22 MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリの特徴として,適切なものはどれか。
ア コンデンサに蓄えた電荷を用いて,データを記憶する。
イ 電気抵抗の値を用いて,データを記憶する。
ウ 一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
エ フリップフロップを利用して,データを記憶する。

MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリは、一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶します。一方、SLC(Single-Level Cell)フラッシュメモリは、一つのメモリセルに1ビットのデータを記憶します。

正解:ウ